供应2SA1015

型号：A1015GR
封装：TO92
极性：PNP
主要参数：60V，0.1A，400mW，8MHZ，HFE=200～400 
对管：C1815








主要参数：
Symbol符号  Parameter 参数 Value数值 Units单位 
VCBO  Collector-Base Voltage 集电极-基较电压 -60  V  
VCEO  Collector-Emitter Voltage 集电极-射较电压 -50  V  
VEBO  Emitter-Base Voltage 射较-基较电压 -5  V  
IC  Collector Current 集电极电流 -150  mA  
IB  Base Current 基较电流 -50  mA  
PC Collector Power Dissipation 耗散功率 400  mW  
 TJ   Junction Temperature 结温 125   ℃ 
TSTG Storage Temperature 贮藏温度 -65 ~ 150  ℃ 

电参数：
Symbol 符号 Parameter 参数 Test Condition 测试条件 Min 较小 Typ 平均 Max 较大 Units 单位
 
BVCBO Collector-Base Breakdown Voltage集电极-基较击穿电压 IC= -100μA, IE=0 -50 - - V 
BVCEO Collector-Emitter Breakdown Voltage集电极-发射较击穿电压 IC= -10mA, IB=0 -50 - - V 
BVEBO Emitter-Base Breakdown Voltage发射较-基较击穿电压 IE= -10μA, IC=0 -5  -  - V 
ICBO Collector Cut-off Current 集电极截止电流 VCB=60V, IE=0  - - -0.1  μA  
IEBO Emitter Cut-off Current 射较 截止电流
 VEB=5V, IC=0  - - -0.1  μA  
hFE1 hFE2  DC Current Gain直流电流增益  VCE=6V, IC=2mA VCE=6V, IC=150mA 
 70 25 
  - 400  -  
 VCE(sat)  Collector-Emitter Saturation Voltage集电极-发射较饱和电压  IC=100mA, IB=10mA  - -0.1  -0.3  V  
VBE (sat) Base-Emitter Saturation Voltage 基较-射较饱和电压 IC=100mA, IB=10mA  - - -1.1  V  
fT  Current Gain Bandwidth Product 电流增益带宽 VCE=10V, IC=1mA  80  - - MHz  
Cob  Output Capacitance 输出电容 VCB=10V, IE=0, f=1MHz  - 4.0  7.0  pF  
NF Noise Figure 噪声系数 VCE=6V, IC=0.1mA RS=10kΩ, f=1Hz  - 0.5 6.0  db 

 放大倍数： 后缀符号 O Y GR 
放大倍数 70-140 120-240 200-400